[Paper Seminar - 3] Hot-Carrier-Stress Effects on GIDL Current in n-Channel MOSFETs

<paper seminar>

-날짜

2021년 4월 24일 (토)

-시간

오전 09:00~

-장소

미래관 704-1호 회의실

-논문

*제목 : Hot-Carrier-Stress Effects on Gate-Induced Drain Leakage Current in n-Channel MOSFET’s

*저자 : G. Q. Lo, A. B. Joshi, Dim-Lee Kwong

*저널 :IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

*게재연월 : 1991년 1월